CCP plazmochemická depozice s iontovým bombardem

Aparatura SI 500 PPD reprezentuje pokročilý nástroj pro plazmochemickou depozici (PECVD - plasma enhanced chemical vapor deposition) dielektrických vrstev, a-Si, SiC a dalších materiálů. Je založena na kapacitně vázaném výboji, zapáleném mezi dvěma horizontálními planparalelními elektrodami. Pro lepší kontrolu toku a energie iontů lze volitelně připojit i další RF zdroj s nižší frekvencí.

SI 500 PPD podporuje substráty a wafery do průměru až 200 mm. Vakuová zakládací komora garantuje stabilní podmínky procesu, jejich opakovatelnost a snadný přechod mezi různými procesy.

Plazmochemický reaktor SI 500 PPD je navržen pro plazmochemickou depozici tenkých vrstev SiO2, SiNx, SiONx a a-Si s kontrolovanou teplotou substrátu v teplotním rozsahu od pokojové teploty až do 350 °C. Jsou dostupná řešení pro depozice z plynných i kapalných prekurzorů. SI 500 PPD je zejména vhodný pro depozice dielektrických vrstev a amorfního křemíku pro leptací masky, membrány, pasivační vrstvy, vlnovody a další.

SENTECH nabízí různé stupně automatizace od jedné vakuové zakládačky po cluster s až šesti porty s různými leptacími a depozičními moduly. Také SI 500 PPD se nabízí jako modul pro leptací procesy do klastrových konfigurací.

Další informace můžete nalézt na stránkách výrobce SI 500 PPD, nebo se obraťte na nás.




další produkty této měřící techniky:
      • ICP RIE leptací aparatura SI 500
      • CCP RIE leptací aparatura Etchlab 200
      • CCP RIE leptací aparatura SI 591 compact
      • ICPECVD depoziční aparatura SI 500 D
      • PECVD depoziční aparatura Depolab 200
      • Depoziční systém SI ALD
      • Klastry pro depozice a leptání SENTECH
      • nanoETCH Moorfield

  Kontakty:


Měřicí technika Morava s.r.o, Babická 619, 664 84 Zastávka u Brna, Česká republika

e-mail: info@mt-m.eu         tel: + 420 513 034 408               podrobné kontakty:         on line schůzka:

Napište nám: