PECVD depoziční aparatura SI 500 PPD

CCP plazmochemická depozice s iontovým bombardem

Aparatura SI 500 PPD reprezentuje pokročilý nástroj pro plazmochemickou depozici (PECVD – plasma enhanced chemical vapor deposition) dielektrických vrstev, a-Si, SiC a dalších materiálů. Je založena na kapacitně vázaném výboji, zapáleném mezi dvěma horizontálními planparalelními elektrodami. Pro lepší kontrolu toku a energie iontů lze volitelně připojit i další RF zdroj s nižší frekvencí.

SI 500 PPD podporuje substráty a wafery do průměru až 200 mm. Vakuová zakládací komora garantuje stabilní podmínky procesu, jejich opakovatelnost a snadný přechod mezi různými procesy.

Plazmochemický reaktor SI 500 PPD je navržen pro plazmochemickou depozici tenkých vrstev SiO₂, SiN_x, SiON_x a a-Si s kontrolovanou teplotou substrátu v teplotním rozsahu od pokojové teploty až do 350 °C. Jsou dostupná řešení pro depozice z plynných i kapalných prekurzorů. SI 500 PPD je zejména vhodný pro depozice dielektrických vrstev a amorfního křemíku pro leptací masky, membrány, pasivační vrstvy, vlnovody a další.

SENTECH nabízí různé stupně automatizace od jedné vakuové zakládačky po cluster s až šesti porty s různými leptacími a depozičními moduly. Také SI 500 PPD se nabízí jako modul pro leptací procesy do klastrových konfigurací.