Plazmochemická depozice a leptání – PECVD, RIE, PEALD

Suché plazmové leptání je základním kamenem výroby mikroelektroniky, zejména díky jednoduchosti použití, homogenitě, opakovatelnosti a vysoké anizotropii. Využitím plazmatu v technikách plazmochemické depozice je možné významně snížit teplotu substrátu a připravit nové vrstvy mimo podmínky termodynamické rovnováhy. U kapacitně vázaného plazmatu (CCP) je navíc vždy přítomný významný iontový bombard, u induktivně vázaného plazmatu (ICP) je možno dosáhnout vysokých hustot plazmatu, a tedy i vyšší depoziční rychlosti. SENTECH nabízí aparatury pro depozici i leptání s CCP i ICP zdroji plazmatu, techniku ALD (Atomic layer deposition) s využitím plazmatu a také zapojení těchto aparatur do větších klastrů s transferem vzorků a diagnostikou. Stránky aparatur SENTECH