FESEM | SEM5000Pro
Vysoké rozlišení při nízké excitaci
CIQTEK SEM5000Pro je Schottkyho rastrovací elektronový mikroskop s polem (FE-SEM) s vysokým rozlišením, který se specializuje na vysoké rozlišení i při nízkých budicích napětích. Použití pokročilé technologie elektronové optiky „Super-Tunnel“ umožňuje dráhu paprsku bez křížení a konstrukci elektrostaticky-elektromagnetické složené čočky.
Tyto pokroky snižují efekt prostorového nabíjení, minimalizují aberace čočky, zlepšují rozlišení obrazu při nízkých napětích a dosahují rozlišení 1,1 nm při 1 kV, což umožňuje přímé pozorování nevodivých nebo polovodivých vzorků a účinně snižuje poškození vzorku ozářením.
Vlastnosti
- Nízké napětí, vysoké rozlišení
- Vysoká stabilita
- Elektronový detektor v čočce
- Zajišťovací mechanismus pro výměnu vzorků
- Elektromagnetické vychýlení paprsku s víceotvorovou aperturou
- Vynikající rozšiřitelnost
Optika
- Technologie sloupců elektronové optiky „Super Tunnel“/zpomalení paprsku v čočce
Snižuje efekt prostorového nabíjení a zajišťuje rozlišení při nízkém napětí. - Bez křížení v dráze elektronového paprsku
Efektivně snižuje aberace čočky a zlepšuje rozlišení. - Elektromagnetická a elektrostatická kompozitní objektiv
Snižuje aberace, výrazně zlepšuje rozlišení při nízkém napětí a umožňuje pozorování magnetických vzorků. - Vodou chlazený objektiv s konstantní teplotou
Zajišťuje stabilitu, spolehlivost a opakovatelnost provozu objektivu. - Variabilní clona s více otvory s elektromagnetickým systémem vychylování paprsku
Automatické přepínání mezi clonami bez mechanického pohybu, což umožňuje rychlé přepínání mezi zobrazovacími režimy.
Režim ECCI (kontrastní zobrazování elektronovým kanálováním) založený na BSED
„Efekt elektronového kanálování“ označuje významné snížení rozptylu elektronů krystalovými mřížkami, kdy dopadající elektronový paprsek splňuje Braggovu difrakční podmínku, což umožňuje průchod velkého počtu elektronů mřížkou, a tím se projevuje efekt „kanálování“.
U polykrystalických materiálů s jednotným složením a leštěnými plochými povrchy závisí intenzita zpětně rozptýlených elektronů na relativní orientaci mezi dopadajícím elektronovým paprskem a krystalovými rovinami. Zrna s větší variabilitou orientace vykazují silnější signály, proto jasnější obrazy a s takovou mapou orientace zrn je dosaženo kvalitativní charakterizace.